METSO Valve Positioner Modelo EJ05 Tipo ND9103HN ND9102HN ND9103HN-K1

Especificações Técnicas ND9000 CONTROLADOR INTELIGENTE DE VALVAS Alimentado com circuito geral, sem necessidade de alimentação externa.Conexões do atuador em conformidade com as normas VDI/VDE 3845 e IEC 60534-6. Instalação em flush em atuadores selecionados Ação: dupla ou única ação Distância de viagem: linear; 10 ‰ 120 mm / 0,4-4,7 em rotação; 45 ‰ 95 graus. Distância de medição 110 ° com eixo de retorno de rotação livre.Influência ambiental Intervalo de temperatura padrão: -40° ️ +85 °C / -40° ️ +185 °F Intervalo de temperatura do Ártico: -53° ️ +85 °C / -64° ️ +185 ° Influência da temperatura na posição da válvula: 0,5 % /10 °K Influência da vibração na posição da válvula:< 1 % sob 2 g 5 ∼ 150 Hz, 1 g 150 ∼ 300 Hz, 0,5 g 300 ∼ 2000 Hz Material do invólucro: ND9100: Liga de alumínio anodizado e composto de polímeros ND9200: Liga de alumínio anodizado e vidro temperado ND9400:Aço inoxidável e compostos de polímeros ND9300: Classe de proteção de aço inoxidável: IP66, Nema 4x Portas pneumáticas: G 1/4 (ND9100) 1/4 NPT (ND9200, ND9300 e ND9400) Filamento da glândula do cabo: M20x1.5 (ND9000) 1/2 NPT (ND9000E2, ND9000U) Peso: 1.8 kg / 4.0 lbs (ND9100) 3.4 kg / 7.5 lbs (ND9200) 5.6 kg / 12.4 lbs (ND9400) 8.6 kg / 19.0 lbs (ND9300) Indicador de posição mecânico e digital visível através da tampa principal,Não aplicável aos ND9200E2 e ND9300. Projeto especial resistente à corrosão ou caixa de aço inoxidável disponível como opção para ambientes exigentes.Efeito da pressão de alimentação sobre a posição da válvula: < 0,1 % a uma diferença de 10 % na pressão de entrada Qualidade do ar: Conforme ISO 8573-1 Partículas sólidas: Classe 5 (recomenda-se filtração de 3 ± 5 μm) Umidade:Classe 1 (recomenda-se um ponto de orvalho inferior a 10 °C/ 18 °F) Classe de óleo: 3 (ou < 1 ppm) Capacidade com alimentação de 4 bar / 60 psi: 5,5 Nm3/h / 3,3 m3/s (válvula de válvula 2) 12 Nm3/h / 7,1 m3/s (válvula de válvula 3) 38 Nm3 /h / 22,4 cm3 (válvula de jato 6) Consumo com alimentação de 4 bar / 60 psi em estado estacionário: < 0,6 Nm3/h / 0,35 sqfm (válvula 2 e 3) < 1,0 Nm3/h / 0,6 sqfm (válvula 6) Eletrônica HART Potência de alimentação: circuito, 4?? 20 mA Sinais mínimos: 3,6 mA Corrente máxima: 120 mA Tensão de carga:até 9.7 VDC/20 mA (correspondente a 485 Ω) Tensão: máximo 30 VDC Protecção polar: -30 VDC Protecção contra a sobrecorrência: ativa sobre 35 mA Profibus PA e FOUNDATION fieldbus Potência de alimentação: tensão 9?? 32 VDC,Protecção da polaridade inversa Corrente básica máxima: 17,2 mA Tire corrente quiescente: 16 mA Corrente de falha (FDE): 3.9 mA FOUNDATION tempos de execução de blocos de funções de bus de campo AO 20 ms AI 20 ms PID 20 ms DO 20 ms DI 15 ms IS 15 ms OS 15 ms Desempenho com atuadores de carga constante moderada Banda morta: ≤ 0,1 % Histerese: < 0,5 % Funções de interface de utilizador local (LUI)Diferença de pressão entre a alimentação e o atuador □ Função de arranque guiado □ LUI pode ser bloqueado remotamente para evitar o acesso não autorizado □ Calibração■ Linearização automática/manual □ Calibração em 1 ponto □ Configuração de controlo: agressiva, rápida, ótima, estável, máxima estabilidade □ Configuração da versão HART:HART 6 ou HART 7 □ Configuração da válvula de controlo □ Rotação■ rotação da válvula no sentido dos ponteiros do relógio ou no sentido contrário ao dos ponteiros do relógio para fechar □ Ângulo morto □ Baixo limite de corte, limite de segurança (default 2 %) □ Falha do posicionador, aberto/fechado □ Direcção do sinal:Ação directa/reversa, duplo/unilateral □ Tipo de válvula, rotativo/linear □ Seleção da língua: Inglês, alemão e francês Transmissor de posição (opcional):Resolução de 12 ¢ 30 VDC: 16 bits / 0,244 μA Linearidade: < 0,05 % FS Efeito de temperatura: < 0,35 % FS Carga externa:max 0 ¢780 Ω max 0 ¢690 Ω para segurança intrínseca Ex ia IIC T6 Ui ≤ 28 V Ex d IIC T4/T5/T6 Ui ≤ 30 V METSO 4 BULTÍNICO TÉCNICO 11/16 7 ND90 21 EN Aprovamentos e valores eléctricos, HART Certificado de aprovação Valores elétricos ATEX ND_X VTT 09 ATEX 033X VTT 09 ATEX 034X EN 60079-0: 2009/2012 EN 60079-11: 2012 EN 60079-26: 2007 EN 60079-31: 2008 EN 60079-0: 2009/2012 EN 60079-11:2012 EN 60079-15: 2010 EN 60079-31: 2008 II 1G Ex ia IIC T6...T4 Ga II 1D Ex ta IIIC T90 °C Da II 2 G Ex ib IIC T6...T4 Gb II 2 D Ex tb IIIC T90 °C Db Entrada: Ui ≤ 28 V, Ii ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 WCi ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH. Saída: Ui ≤ 28 V, Ii ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH, resistência à carga externa 0?? 690 Ω II 3 G Ex nA IIC T6...T4 Gc II 3 D Ex tc IIIC T90 °C Dc Entrada: Ui ≤ 30 V,II ≤ 152 mA Saída: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA II 3 G Ex ic IIC T6...T4 Gc II 3 D Ex tc IIIC T90 °C Dc Entrada: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA, Pmax = limites do próprio dispositivo, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH. Saída: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA,Pmax = limites do próprio dispositivo, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH, resistência à carga externa 0?? 780 Ω ND_E1 SIRA 11 ATEX 1006X EN 60079-0:2009 EN 60079-1:2007 EN 60079-31:2009 II 2 G Ex d IIC T6...T4 Gb II 2 D Ex tb IIIC T80 °C...T105 °C Db Entrada: Ui ≤ 30 V Saída: Ui ≤ 30 V, Pmax = limites do próprio dispositivo, resistência à carga externa 0 ̊780 Ω IECEx ND_X IECEx VTT 10.0004X IECEx VTT 10.0005X IEC 60079-0: 2007/2011 IEC 60079-11: 2011 IEC 60079-26:2006 CEI 60079-31: 2008 IEC 60079-0: 2007/2011 IEC 60079-11: 2011 IEC 60079-15: 2010, IEC 60079-31: 2008 Ex ia IIC T6...T4 Ga Ex ta IIIC T90 °C Da Ex ib IIC T6...T4 Gb Ex tb IIIC T90 °CIi ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH Saída: Ui ≤ 28 V, Ii ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH, resistência à carga externa 0?? 690 Ω Ex nA IIC T6...T4 Gc Ex tc IIIC T90 °C Dc Entrada: Ui ≤ 30 V,II ≤ 152 mA Saída: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA Ex ic IIC T6...T4 Gc Ex tc IIIC T90 °C Dc Entrada: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA, Pmax = limites do próprio dispositivo, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH Saída: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA,Pmax = limites do próprio dispositivo, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH, resistência à carga externa 0 ̊780 Ω ND_E1 IECEx SIR 11.0001X IEC 60079-0:2011 IEC 60079-1:2007 IEC 60079-31:2008 Ex d IIC T6...T4 Gb Ex tb IIIC T80 °C...T105 °C Db Entrada:Ui ≤ 30 V Saída: Ui ≤ 30 V, Pmax = limites do próprio dispositivo, resistência à carga externa 0 ̊780 Ω INMETRO ND_Z NCC 12.0793 X NCC 12.0794 X ABNT NBR IEC 60079-0:2013 ABNT NBR IEC 60079-11:2009 ABNT NBR IEC 60079-26:2008 (2009) ABNT NBR IEC 60079-27:2010 ABNT NBR IEC 60079-0:2013 ABNT NBR IEC 60079-11:2009 IEC 60079-15:2012 ABNT NBR IEC 60079-27:2010 ABNT NBR IEC 60529:2005 Ex ia IIC T4/T5/T6 Ga Ex ia IIC T4/T5/T6 Gb Entrada: Ui ≤ 28 V,Ii ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH Saída: Ui ≤ 28 V, Ii ≤ 120 mA, Pi ≤ 1 W, Ci ≤ 22 nF, Li ≤ 53 μH, resistência à carga externa 0 ∼ 690 Ω. Ex nA IIC T4/T5/T6 Gc Entrada: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA Saída:Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA Ex ic IIC T4/T5/T6 Gc Entrada: Ui ≤ 30 V, Ii ≤ 152 mA, Pmax = limites do próprio dispositivo, Ci